محاسبه ظرفیت خازنی ساختارهای مختلف نیمه هادی و کاربرد آن در قطعات نیمه هادی تک الکترونی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده مهندسی برق
- نویسنده طاهره عمادی
- استاد راهنما فرشید رییسی محمدصادق ابریشمیان
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1381
چکیده
در این پروژه پس از معرفی قطعات تک-الکترون متعارف و مورد استفاده و مشکلات آنها، به بررسی ساختارهای سوزنی شکل در ابعاد و اندازه های متفاوت می پردازیم. این ساختارها به بافت سیلیکون متخلخل بسیار شبیه هستند. با اسبفاده از قابلیت های برنامه ی fastcap، پس از شبیه سازی ساختارهای تعریف شده، خازن آنها محاسبه و نشان داده می شود که مقدار این خازن در همان حدی است که جزیره های بکار برده شده در ادوات تک-الکترون متعارف با ابعاد نانو متری دارا بودند، با این تفاوت که ابعاد آنها چندین برابر بزرگتر شده است. در حقیقت با فزونی میدان های الکتریکی حاشیه ای بدلیل ساختار ذاتی بافت سوزنی شکل که با میدانهای الکتریکی اطراف جزیره های نانومتری قابل مقایسه می باشد، از خازن این قطعه کاسته شده و لذااین ساختارها توانسته اند پدیده های ممنوعیت کولمب و اثرهای تک-الکترون را نشان دهند و نیز دمای کارکرد آنها بمراتب بالاتر از دمای ادوات تک-الکترون معمولی خواهد بود. بررسی نتایج چند آزمایش، این اثرها را در منحنی های جریان-ولتاژ آنها نشان می دهد. بنابر این با استفاده از این ساختارها و بدلیل تکنیک ساخت ساده تر ازن قطعه نسبت به ادوات متعارف تک-الکترون، مطالعه و تحقیق بر روی چگونگی رفتار آنها و درک تیوری پدیده های موجود شتاب بخشیده می شوند.
منابع مشابه
نیمه هادی ها و ترانزیستور
در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .
متن کاملبررسی و محاسبه آسیب پرتویی ناشی از طیف پرتوهای خورشیدی بر ساختار کریستالی قطعات نیمه هادی
محیط فضایی به علت وجود گستره وسیعی از تشعشعات فضایی نگرانی هایی را در کارکرد صحیح سیستم های الکترونیکی و تجهیزات مورد استفاده در فضا ایجاد کرده است. بنابراین با توجه به حساسیتی که این قطعات به تشعشعات دارند، برای تمام قطعات این سیستم ها یا در مرحله ساخت یا در فاز طراحی، نکات و تکنیک های مقاوم سازی در برابر اثرات تابشی صورت می گیرد که نیازمند مطالعات دقیق در زمینه ساز و کار آسیب در این سیستم هاس...
متن کاملتشخیص الگوهای غیرطبیعی در فرآیند ساخت قطعات نیمه هادی با استفاده از شبکه های عصبی
در فرآیندهای ساخت قطعات نیمه هادی اطلاع از وجود الگوهای غیرطبیعی بر روی نمودارهای کنترلی مربوط به فرایند و پیش بینی وقوع آنها امری مهم و شایان توجه است. در این نوشتار ، فرآیند ساخت گیت ترانزیستورهای MESFET در مدار مجتمع یک تقویت کننده مایکروویو GaAs به عنوان نمونه انتخاب شده است. سپس ضمن ارائه توضیحاتی پیرامون چگونگی بدست آوردن نمودارهای کنترلی و نیز نحوه استفاده از داده های مربوط به فرآیند، رو...
متن کاملنیمه هادی ها و ترانزیستور
در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .
متن کاملفناوری حافظه های نیمه هادی فرّار: گذشته، حال و آینده
اهمیت و تأثیر صنعت الکترونیک بر زندگی بشر در قرن گذشته و در دوران کنونی بر کسی پوشیده نیست. این صنعت، در قرن بیست و یکم، همچنان با روندی پرشتاب و مطمئن می‌رود تا با استفاده از فناوری نانو با رشد تکاملی و انقلابی خود با استفاده از نوآوریها و اختراعها طلایه‌دار بهبود زندگی بشر در بسیاری از زمینه‌ها از جمله فناوری رایانه، فناوری اطلاعات، فناوری زیستی، صنعت حمل و نقل، سامانه‌های دفاعی و وسایل الکتر...
متن کاملبررسی گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی نیمه هادی های chalcopyrite سه گانه
رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده مهندسی برق
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023